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典型GaN射頻器件的工藝流程

典型的GaN射頻器件的加工工藝主要包括如下環節：外延生長-器件隔離-歐姆接觸（製作源極、漏極）-氮化物鈍化-柵極製作-場板製作-襯底減薄-襯底通孔等環節。

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氮化镓X波段氮化镓放大器和阻塞轉換器的新進展

英國高性能微波功率放大器公司Diamond Microwave近日宣布推出一係列小型微波GaN基脈衝固態功率放大器（SSPA），包括200W和400WX波段SSPA，以及即將增加的1kW C波段放大器的設計和1kW X波段放大器。

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【顯示資訊DisplayTimes】韓國KAIST研發軟性垂直Micro LED 可用於刺激、活化腦部並控製行為

韓國學術團隊研發出軟性垂直Micro LED技術，可置入動物腦部，利用燈光控製行動，適用於腦部研究等生物醫療領域，也可用於智能型手機、行動裝置顯示器、穿戴式照明產品，技術已達量產水平。

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氮化镓|美國空軍研究實驗室研究出柔性氮化镓生長新方法，對射頻器件意義重大

美國空軍研究實驗室（AFRL）宣布已經發現一種新的生長和轉移氮化镓（GaN）方法，為未來第五代、高速、靈活的通信係統奠定了基礎。

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