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典型GaN射頻器件的工藝流程

典型GaN射頻器件的工藝流程

  • 分類：行業動態
  • 作者：
  • 來源：
  • 發布時間：2022-09-26
  • 訪問量：0

【概要描述】典型的GaN射頻器件的加工工藝主要包括如下環節：外延生長-器件隔離-歐姆接觸（製作源極、漏極）-氮化物鈍化-柵極製作-場板製作-襯底減薄-襯底通孔等環節。

典型GaN射頻器件的工藝流程

【概要描述】典型的GaN射頻器件的加工工藝主要包括如下環節：外延生長-器件隔離-歐姆接觸（製作源極、漏極）-氮化物鈍化-柵極製作-場板製作-襯底減薄-襯底通孔等環節。

  • 分類：行業動態
  • 作者：
  • 來源：
  • 發布時間：2022-09-26
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詳情

典型的GaN射頻器件的加工工藝主要包括如下環節：外延生長-器件隔離-歐姆接觸（製作源極、漏極）-氮化物鈍化-柵極製作-場板製作-襯底減薄-襯底通孔等環節。

外延生長

采用金屬氧化物化學氣相沉積（MOCVD）或分子束外延（MBE）方式在SiC或Si襯底上外延GaN材料。

器件隔離

采用離子注入或者製作台階（去除掉溝道層）的方式來實現器件隔離。射頻器件之間的隔離是製作射頻電路的基本要求。

歐姆接觸

形成歐姆接觸是指製作源極和漏極的電極。對GaN材料而言，製造歐姆接觸需要在很高的溫度下完成。

氮化物鈍化

在源極和漏極製作完成後，GaN半導體材料需要經過鈍化過程來消除懸掛鍵等界麵態。GaN的鈍化過程通常采用SiN（氮化矽）來實現。

柵極製作

在SiN鈍化層上開口，然後沉積柵極金屬。至此，基本的場效應晶體管的結構就成型了。

場板製作

柵極製作完成後，繼續沉積額外的幾層金屬和氮化物，來製作場板、互連和電容，此外，也可以保護器件免受外部環境影響。

襯底減薄

襯底厚度減薄至100μm左右，然後對減薄後的襯底背部進行金屬化。

襯底通孔

通孔是指在襯底上表麵和下表麵之間刻蝕出的短通道，用於降低器件和接地(底部金屬化層)之間的電感。

出處：www.qorvo.com

 

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